在EMI測試中，如何用LISN的原理來測量共模線圈磁芯的飽和性

EMI測試中，通常很難測量共模線圈磁芯的飽和特性（整體或部分）。通過一個簡單的測試，我們可以看到共模濾波器的衰減受到60度的影響Hz電流引起的電感減小的影響。這種測試需要示波器和差模抑制網絡(DMRN)。首先，用示波器監測線路電壓。根據以下方法，從示波器的a通道輸入信號，將示波器的時間基準設置為2ms/div，然后在A通道上加上觸發信號，當交流電壓達到峰值時，就會產生有線電流，此時濾波器效率的降低是意料之中的。差模抑制網絡（DMRN）連接到輸入端LISN，與示波器的B通道相連，輸出端采用50阻抗。在線性區域工作時，在輸入電流波動期間，B通道監測的發射增加值不得超過6-10dB。圖1顯示了示波器上的測試結果，上面的曲線是共模發射；下面的曲線是線電壓。在線電壓峰值期間，橋式整流器正向導通，充電電流傳輸。

圖1.示波器上顯示的由于60Hz充電電流引起的共模扼流全的降級

如果共模扼流達到飽和，當輸入波增加時，發射就會增加。如果共模扼流達到強飽和，發射強度與不添加濾波器時相同，即容易達到40dB以上。

其他方法可以解釋這些實驗數據。當濾波器沒有偏置電流時，發射最小值(當線電流為0時)的效果。峰值發射與最小發射的比率，即降級因子，用來衡量線電流偏移對濾波器實際效果的影響。較大的降級因子表明，共模扼流圈的磁芯沒有得到適當的使用，濾波器的效果更好“固有降級因子”幾乎在2-4之間。它產生于兩種現象：第一，60Hz由充電電流引起的電感降低(如上所述)；二是橋式整流器的正反導通。共模發射的等效電路由一個阻抗約為200PF電壓源、二極管阻抗和LISN如圖2所示，共模阻抗的組成。當橋式整流器正偏置時，在源阻抗，25和LISN共模阻抗之間會出現分壓現象。當橋整流器反向偏置時，在源阻抗、整流橋反偏電容、LISN產生分壓現象。當二極管整流橋的反向偏置電容較小時，共模過濾具有一定的效果。整流橋正偏置時，不影響共模過濾。

圖2.共模輻射等效電路

由于分壓，固有降級因子的預期值約為2。根據源阻抗和二極管整流橋反向偏置電容的實際尺寸，實際值變化較大Flugan利用這一原理，減少鎮流器的傳導和發射，是一種發明的電路。